产品简介

GK-200紫外接触式光刻机是一款专为实验室微纳加工研发打造的高精度台式套刻曝光设备，主打微米级多层图形精准转印工艺。设备采用 365nm 紫外 LED 冷光源搭配双非球面石英透镜，输出半角≤2° 高平行紫外光，光场均匀稳定，曝光分辨率最高可达 2μm，。

设备核心搭载两组独立高清 CCD 视觉模组，配套可视化对位显示系统，可同步采集掩膜标记与基片对位基准，配合 X/Y 平移 +θ 旋转三轴精密微调载台，实现可视化精准套刻，彻底规避人工目视对准带来的偏移误差，稳定完成两层及以上微细图形重叠加工。整机采用一体化紧凑桌面式结构，无需大型超净配套平台，占地面积小、搬运便捷，单人即可独立完成对位、全套接触式曝光流程。

本机采用标准接触式曝光结构，支持 4 英寸硅片、玻璃基片，兼容硬质掩膜与菲林掩膜，曝光强度10~100 W/cm²可调，工艺适配范围广。设备广泛应用于多层微流控芯片、MEMS 多层结构器件、光电子阵列、声表面波多层电极、二维材料微电极等需多次套刻的微细加工场景，是高校、科研院所、研发企业开展多层光刻工艺研究的高性价比专用设备。

产品parameters

• Exposure Light Source: UV LED
• Wavelength of Light Source: 365nm
• 曝光面积：110x110mm，适合4英寸基底；
• 掩膜尺寸：5英寸；
• Exposure Method: Single-side contact timed exposure
• Exposure Resolution: 2um
• 曝光强度：10 ~ 100mW/cm²可调；
• 曝光不均匀性：≤5% ；
• Light Source Parallelism: ≤2°
• Light Source Lifespan: ≥20,000 hours
• 视觉对位系统：2 组独立高清 CCD 相机
• 对准模式：双视场同步合像可视化对位
• 调节维度：X/Y/Z 三轴平移 ，θ 角度旋转微调
• Power Supply Input: AC 220V ±10V, 50Hz
• 功率：300 W
• 重量：约45kg
• 外形尺寸：920mm（长）*500mm（宽）*700mm（高）
• Operating Environment: Temperature 0℃-40℃, Relative Humidity <80%

✅ 365nm 紫外 LED 冷光源
双非球面石英透镜，光平行角≤2°，曝光分辨率高达 2μm，光场均匀度≤5%，光源使用寿命≥20000 小时，长期使用稳定低损耗。
✅ 双 CCD 可视化精密对位
双独立高清 CCD 同步成像，X/Y 平移 +θ 旋转三轴微调载台，消除人工目视偏移误差，轻松实现多层图形精准套刻，适配多次叠层微细加工。
✅ 紧凑型桌面一体化设计
整机占地小、单人可操作搬运，无需大型超净配套平台；适配 4 英寸硅片 / 玻璃基片
✅ 可调曝光工艺窗口广
曝光强度 10~100mW/cm² 连续可调，定时接触式曝光，完美匹配各类光刻胶工艺需求。

Usage Instructions

This equipment is easy to operate and user-friendly. The specific operations are as follows:

• 曝光前准备工作

1、设备准备：将真空泵气管接至设备气源接口，把真空泵电源插头插入设备专用插座，再接好设备主机电源线，最后开启总电源开关。

图2 GK-200紫外接触式光刻机背面图

2、基片处理：待曝光硅片、玻璃基片需提前完成匀胶与前烘处理，表面保持洁净平整，无污渍、划痕；若需多层套刻，需预先制作对位基准标记。

3、掩膜选配：本设备仅适配 5 英寸规格掩膜板。

4、设备检查：开机完成设备自检，确认 CCD 成像清晰、三轴微调机构滑动顺畅、紫外光源与控制面板工作正常，随后手动将载物台复位至 CCD 镜头正下方。

图3 载物台回位（CCD正下方位置）

5、基准核对：若进行套刻作业，请提前核对掩膜对位标记与基片基准图形尺寸是否匹配，确保 CCD 能够完整识别标记。

II. Exposure Operation Steps

图4 三维调节载物台

1、放置基片：按下真空启停按钮启动真空泵，将预处理完成的基片平稳放置于基底真空吸附台，按下晶圆吸附按钮固定基片。

图5 放置基片

2、放置掩膜：将掩膜平整放置于掩膜真空吸附台，按下光刻板吸附按钮固定掩膜。

图6 放置掩膜

3、CCD 视觉对位（套刻核心步骤）

两组 CCD 相机分别采集掩膜两侧对位标记与基片两侧对位图形，并同步显示在操作屏幕上。操作人员通过三轴微调旋钮调整载台 X/Y 坐标与 θ 旋转角度，实时观察屏幕内两组标记重合状态；标记完全对齐后下调 Z 轴，使基片与掩膜贴合，按下球阀吸附按钮固定位置，完成套刻对位。

图7 掩膜两侧对位标记与基片两侧对位标记重合

4、设定曝光参数：通过操作触摸屏设置曝光时长与曝光强度，可根据工艺需求自由调节。

图8 设置曝光参数

5、启动曝光：手动将载物台平移至曝光头正下方并锁止，核对曝光参数无误后点击启动按钮，设备将自动运行接触式曝光程序。

图9 载物台移动到曝光头正下方

6、曝光完成与多次循环：单次曝光完成后设备曝光控制屏幕会发出提示，手动将载物台复位至 CCD 下方：

①单层光刻工艺：依次关闭球阀、掩膜真空吸附、晶圆真空吸附、气源，取出基片与掩膜即可；

②多层套刻工艺：对基片再次进行匀胶与前烘处理，更换下一层掩膜，再次重复进行CCD 对位、贴合、曝光流程，循环完成多层图形转印。

全部加工工序结束后取出基片，关闭设备整机电源。。

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