DingXu (Suzhou) Microfluidics Technology Co., Ltd. is a high-tech enterprise dedicated to the field of microfluidics. We are committed to providing customers with comprehensive microfluidic solutions, including customized microfluidic chip development, surface modification, microfluidic chip processing equipment, and microfluidic instruments. Our team boasts extensive experience and technical expertise, continuously combining professional knowledge with innovative thinking to deliver high-quality solutions. We consistently prioritize customer-centric values, embrace self-challenges, and pursue excellence. Through professionalism, innovation, and collaboration, we aim to create greater value for our customers and contribute to a brighter future in the field of microfluidics.
型号：K-MAC ST2000-DLX 制造商：K-MAC 测量原理：基于分光反射法（Spectroscopic Reflectometry） 通过分析反射光谱或偏振光变化计算薄膜厚度及光学常数（n/k）。 核心优势：高精度、非接触测量，适用于透明/半透明/不透明薄膜的快速检测，支持单层及多层膜分析。 规格参数： 参数 规格 光谱范围 190nm – 1100nm（紫外-近红外，可扩展至1700nm） 测量厚度范围 1nm – 100μm（取决于材料光学特性） 厚度分辨率 ≤0.1nm（SiO₂/Si 标准样品） 重复性 ≤±0.2nm（3σ，标准样品） 光斑尺寸 10μm – 5mm 可调（…
型号：400Adv 系列椭偏仪 制造商：通常为 J.A. Woollam Co.（全球椭偏技术领先品牌）或类似高端品牌（如 Semilab、Horiba）。 测量原理：基于偏振光与样品相互作用的椭偏测量法（Spectroscopic Ellipsometry, SE），通过分析反射光偏振态变化反演薄膜参数。 核心优势：宽光谱范围、高精度、非接触无损测量，支持纳米级薄膜和复杂多层结构分析。 规格参数： 参数 规格 光谱范围 190nm – 2500nm（紫外-近红外，可扩展至中红外） 入射角范围 45° – 90° 自动调节（步进精度±0.01°） 光斑尺寸 50μm – 5mm 可调…
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Bruker Dektak 150 测量原理：接触式探针扫描（机械探针+光学传感协同）。 核心功能：高精度表面台阶高度、粗糙度、薄膜厚度、沟槽深度等形貌参数测量，兼容4/6/8英寸晶圆及不规则样品。 规格参数： 型号 Dektak150（中端） 垂直分辨率 ≤1nm 测量范围 1nm – 1mm 最大样品尺寸 150mm（6英寸） 扫描长度 55mm 探针力 0.1mg – 30mg 自动化能力 半自动 典型应用 科研、MEMS
Veeco Dektak XT 测量原理：接触式探针扫描（机械探针+光学传感协同）。 核心功能：高精度表面台阶高度、粗糙度、薄膜厚度、沟槽深度等形貌参数测量，兼容4/6/8英寸晶圆及不规则样品。 规格参数： 型号 DektakXT（旗舰） 垂直分辨率 ≤0.1nm 测量范围 0.1nm – 1mm 最大样品尺寸 200mm（8英寸） 扫描长度 55mm（可扩展至100mm） 探针力 0.03mg – 30mg 自动化能力 全自动（Fab级） 典型应用 高端半导体、3D IC
深硅刻蚀系统（Deep Reactive Ion Etching，简称 DRIE）是一种专门用于在硅片上刻蚀出高深宽比结构的等离子体刻蚀设备，是MEMS器件制造、硅微流控芯片加工、硅穿孔（TSV）等先进微纳加工中不可或缺的关键设备。 •刻蚀类型：Bosch工艺（交替沉积/刻蚀）或低温刻蚀（Cryogenic）可选。 •硅片尺寸：4英寸（100mm）/6英寸（150mm），自动校准适配。 •刻蚀速率： •常规硅：4-10μm/min（Bosch工艺）。 •高深宽比结构：2-5μm/min（深宽比>20:1时）。 •均匀性：片内均匀性≤±3%（6英寸），片间均匀性≤±5%。 •刻蚀深度：最大…
1.占地小、稳定性高、操作与维护方便 2.产能高，产能大于200片/小时 3.3种试剂管路 4.自动烘干。 规格参数： •1. 匀胶单元（COAT） •数量：标配3个工位 •转速范围： •自转：100-5000 RPM（闭环精准控制） •膜厚均匀性：±2%（@5000 RPM） •2. 烘胶单元（热盘/冷盘） •热盘数量：6个独立温控工位 •温度范围： •热盘：室温~300℃（±1℃） •冷盘：10℃~室温 •加热速率：3分钟内升至200℃ •3. 管路系统 •胶液管路：输送光刻胶、PI等涂层材料（防腐蚀设计） •溶剂管路：用于基片预湿或边缘清洗（兼容丙酮、乙醇等） •去离子水管路：基片冲洗或…
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