顶旭（苏州）微控技术有限公司是一家专注于微流控领域的高科技企业，我们致力于为客户提供微流控芯片定制、表面修饰改性、微流控芯片加工设备、以及微流控仪器等全面的微流控解决方案。公司团队拥有丰富的经验和技术积累，持续将专业知识与创新思维相结合，为客户提供高品质的解决方案。我们将始终坚持以客户为中心，不断挑战自我，不断追求卓越，通过专业、创新和合作，为客户创造更大的价值，共同开创微流控领域的美好未来。
本研究引入由双乳化微流控技术制备、配备蜂毒肽生物孔的巨型单层囊泡（GUV），作为多功能微米级隔室用于单菌培养。相比传统方法，微流控制备的 GUV 具有快速、高重复性及尺寸和成分可控等优势，适合比较研究及高通量筛选。聚合物膜的稳定性与可调性支持多种实验需求，成孔处理使营养物质与抗生素可进入囊泡内，从而实现对细菌微环境的精确调控。 参考文献：https://pmc.ncbi.nlm.nih.gov/articles/PMC10953582/ 1. 简介 抗生素耐药性严重威胁现代医疗，因此深入理解其机制对于开发新疗法至关重要。 群体异质性使细菌通过形成持久细胞对抗…
型号：K-MAC ST2000-DLX 制造商：K-MAC 测量原理：基于分光反射法（Spectroscopic Reflectometry） 通过分析反射光谱或偏振光变化计算薄膜厚度及光学常数（n/k）。 核心优势：高精度、非接触测量，适用于透明/半透明/不透明薄膜的快速检测，支持单层及多层膜分析。 规格参数： 参数 规格 光谱范围 190nm – 1100nm（紫外-近红外，可扩展至1700nm） 测量厚度范围 1nm – 100μm（取决于材料光学特性） 厚度分辨率 ≤0.1nm（SiO₂/Si 标准样品） 重复性 ≤±0.2nm（3σ，标准样品） 光斑尺寸 10μm – 5mm 可调（…
型号：400Adv 系列椭偏仪 制造商：通常为 J.A. Woollam Co.（全球椭偏技术领先品牌）或类似高端品牌（如 Semilab、Horiba）。 测量原理：基于偏振光与样品相互作用的椭偏测量法（Spectroscopic Ellipsometry, SE），通过分析反射光偏振态变化反演薄膜参数。 核心优势：宽光谱范围、高精度、非接触无损测量，支持纳米级薄膜和复杂多层结构分析。 规格参数： 参数 规格 光谱范围 190nm – 2500nm（紫外-近红外，可扩展至中红外） 入射角范围 45° – 90° 自动调节（步进精度±0.01°） 光斑尺寸 50μm – 5mm 可调…
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Bruker Dektak 150 测量原理：接触式探针扫描（机械探针+光学传感协同）。 核心功能：高精度表面台阶高度、粗糙度、薄膜厚度、沟槽深度等形貌参数测量，兼容4/6/8英寸晶圆及不规则样品。 规格参数： 型号 Dektak150（中端） 垂直分辨率 ≤1nm 测量范围 1nm – 1mm 最大样品尺寸 150mm（6英寸） 扫描长度 55mm 探针力 0.1mg – 30mg 自动化能力 半自动 典型应用 科研、MEMS
Veeco Dektak XT 测量原理：接触式探针扫描（机械探针+光学传感协同）。 核心功能：高精度表面台阶高度、粗糙度、薄膜厚度、沟槽深度等形貌参数测量，兼容4/6/8英寸晶圆及不规则样品。 规格参数： 型号 DektakXT（旗舰） 垂直分辨率 ≤0.1nm 测量范围 0.1nm – 1mm 最大样品尺寸 200mm（8英寸） 扫描长度 55mm（可扩展至100mm） 探针力 0.03mg – 30mg 自动化能力 全自动（Fab级） 典型应用 高端半导体、3D IC
深硅刻蚀系统（Deep Reactive Ion Etching，简称 DRIE）是一种专门用于在硅片上刻蚀出高深宽比结构的等离子体刻蚀设备，是MEMS器件制造、硅微流控芯片加工、硅穿孔（TSV）等先进微纳加工中不可或缺的关键设备。 •刻蚀类型：Bosch工艺（交替沉积/刻蚀）或低温刻蚀（Cryogenic）可选。 •硅片尺寸：4英寸（100mm）/6英寸（150mm），自动校准适配。 •刻蚀速率： •常规硅：4-10μm/min（Bosch工艺）。 •高深宽比结构：2-5μm/min（深宽比>20:1时）。 •均匀性：片内均匀性≤±3%（6英寸），片间均匀性≤±5%。 •刻蚀深度：最大…
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