光刻是利用曝光和显影技术在光刻胶层上刻画器件结构,再通过刻蚀工艺将掩膜上的图形转换到衬底上。主要的光刻有:电子束光刻,步进式光刻,接触式光刻等多种光刻技术。
最小线宽50nm(成熟),适合在导电衬底、图形面积小的图形加工
stepper i7/i10/i12,最小线宽500nm,适合小线条加需求工
MA6/BA6光刻机,最小线宽2um,适合正反套刻,衬底包容性高
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